Αποτροπή πλαστογράφων και ελαττωμάτων
Οπτικός και συσκευασιακός έλεγχος
Επαλήθευση ηλεκτρικής απόδοσης
Ηλεκτρονικό Ταχυδρομείο Υπηρεσίας
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Αίτηση Προσφοράς
(Αποστέλλεται αύριο)
*Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
5.0 / 5.0
- (94 Αξιολογήσεις)
IPP041N12N3GXKSA1
Επισκόπηση προϊόντος
12803539
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους
IPP041N12N3GXKSA1-DGΚατασκευαστής
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Περιγραφή
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Αποθέμα
200457 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
Αγορά και Ερώτηση
Εγγύηση & Επιστροφές
Πώς να παραγγείλετε
Αποστολή & Παράδοση
Διασφάλιση Ποιότητας
365 - Ημερήσια Ποιοτική Εγγύηση - Κάθε μέρος πλήρως καλυμμένο.
Επιστροφή ή Αλλαγή 90 Ημερών - Ελαττωματικά μέρη; Χωρίς κόπο.
Περιορισμένο απόθεμα, Παραγγείλετε τώρα - Αποκτήστε αξιόπιστα ανταλλακτικά χωρίς άγχος.
Παγκόσμια Αποστολή & Ασφαλής Συσκευασία
Διεθνής Παράδοση σε 3-5 Εργάσιμες Ημέρες
100% Αντιστατική Συσκευασία ESD
Παρακολούθηση σε πραγματικό χρόνο για κάθε παραγγελία
Ασφαλής & Ευέλικτη Πληρωμή
Πιστωτική Κάρτα, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Τραπεζική Μεταφορά (Τ/Τ) και更多
Όλες οι πληρωμές κρυπτογραφημένες για ασφάλεια
IPP041N12N3GXKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Τρανζίστορ, FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Συσκευασία
Tube
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
120 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 270µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPP041
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Κατεβάστε IPP041N12N3GXKSA1 Προδιαγραφή προϊόντος (PDF)
Φύλλα δεδομένων
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML Δελτίο δεδομένων
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Dec 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Dec 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Dec 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Dec 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Dec 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Dec 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Dec 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Συχνές Ερωτήσεις (FAQ)
Ποια είναι τα κύρια χαρακτηριστικά του MOSFET Infineon OptiMOS™ N-Channel (IPP041N12N3GXKSA1);
Αυτός ο MOSFET υποστηρίζει τάση drain-to-source 120V και συνεχές ρεύμα drain 120A στους 25°C, με χαμηλό Rds On στα 4.1mΩ, καθιστώντας τον ιδανικό για εφαρμογές διακοπής υψηλής ισχύος. Είναι σχεδιασμένος με πακέτο TO-220-3 για εύκολη εγκατάσταση και αξιόπιστη απόδοση.
Σε ποιες εφαρμογές είναι κατάλληλος ο MOSFET των 120V 120A;
Αυτός ο MOSFET είναι ιδανικός για τροφοδοτικά μετατροπείς, οδηγούς κινητήρων και κυκλώματα διακοπής υψηλού ρεύματος όπου η αποδοτικότητα και η θερμική απόδοση είναι κρίσιμες. Ο ανθεκτικός σχεδιασμός του διασφαλίζει αντοχή σε απαιτητικά ηλεκτρονικά συστήματα.
Είναι αυτός ο N-Channel MOSFET συμβατός με υφιστάμενες ηλεκτρονικές σχεδιάσεις;
Ναι, ο IPP041N12N3GXKSA1 είναι συμβατός με τυπικές τάσεις gate drive και διαθέτει όριο πύλης τα 4V, καθιστώντας τον κατάλληλο για διάφορα σχέδια διακοπτών τροφοδοσίας και ενσωματωμένα συστήματα.
Ποια είναι τα πλεονεκτήματα της επιλογής των MOSFET της σειράς OptiMOS™ της Infineon;
Οι MOSFETs της σειράς OptiMOS™ είναι γνωστοί για το χαμηλό Rds On, υψηλή αποδοτικότητα και εξαιρετική θερμική απόδοση, βοηθώντας στη μείωση της απώλειας ισχύος και στη βελτίωση της συνολικής αξιοπιστίας του συστήματος.
Τι είδους εγγύηση και υποστήριξη παρέχεται για αυτό το προϊόν MOSFET;
Ως ενεργό και συμβατό με το πρότυπο RoHS3 προϊόν, το MOSFET υποστηρίζεται από τον κατασκευαστή με εγγύηση ποιότητας. Διατίθεται άμεσα από στοκ, εξασφαλίζοντας ταχεία διαθεσιμότητα για τα έργα σας.
Διασφάλιση Ποιότητας (QC)
Η DiGi εξασφαλίζει την ποιότητα και την αυθεντικότητα κάθε ηλεκτρονικού εξαρτήματος μέσω επαγγελματικών επιθεωρήσεων και δειγματοληψίας παρτίδων, εγγυώμενη αξιόπιστη προέλευση, σταθερή απόδοση και συμμόρφωση με τεχνικές προδιαγραφές, βοηθώντας τους πελάτες να μειώσουν τους κινδύνους στη αλυσίδα εφοδιασμού και να χρησιμοποιούν με αυτοπεποίθηση τα εξαρτήματα στην παραγωγή.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
