Αποτροπή πλαστογράφων και ελαττωμάτων
Οπτικός και συσκευασιακός έλεγχος
Επαλήθευση ηλεκτρικής απόδοσης
Ηλεκτρονικό Ταχυδρομείο Υπηρεσίας
[email protected]
>
FCH043N60
onsemi
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
1411 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αίτηση Προσφοράς
(Αποστέλλεται αύριο)
*Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
5.0 / 5.0
- (328 Αξιολογήσεις)
FCH043N60
Επισκόπηση προϊόντος
12839481
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους
FCH043N60-DGΚατασκευαστής
onsemi
FCH043N60
Περιγραφή
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3Αποθέμα
1411 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
Αγορά και Ερώτηση
Εγγύηση & Επιστροφές
Πώς να παραγγείλετε
Αποστολή & Παράδοση
Διασφάλιση Ποιότητας
365 - Ημερήσια Ποιοτική Εγγύηση - Κάθε μέρος πλήρως καλυμμένο.
Επιστροφή ή Αλλαγή 90 Ημερών - Ελαττωματικά μέρη; Χωρίς κόπο.
Περιορισμένο απόθεμα, Παραγγείλετε τώρα - Αποκτήστε αξιόπιστα ανταλλακτικά χωρίς άγχος.
Παγκόσμια Αποστολή & Ασφαλής Συσκευασία
Διεθνής Παράδοση σε 3-5 Εργάσιμες Ημέρες
100% Αντιστατική Συσκευασία ESD
Παρακολούθηση σε πραγματικό χρόνο για κάθε παραγγελία
Ασφαλής & Ευέλικτη Πληρωμή
Πιστωτική Κάρτα, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Τραπεζική Μεταφορά (Τ/Τ) και更多
Όλες οι πληρωμές κρυπτογραφημένες για ασφάλεια
FCH043N60 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Τρανζίστορ, FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Συσκευασία
-
Σειρά
SuperFET® II
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
75A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 38A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
12225 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
592W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCH043
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Κατεβάστε FCH043N60 Προδιαγραφή προϊόντος (PDF)
Φύλλα δεδομένων
FCH043N60
HTML Δελτίο δεδομένων
FCH043N60-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS
Εναλλακτικά Ανταλλακτικά
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Jede Erfahrung bei DiGi Electronics bestätigt die hohe Produktverlässlichkeit und Preis-Transparenz.
Dec 02, 2025
The packaging quality exceeded my expectations, sturdy and visually appealing at the same time.
Dec 02, 2025
I appreciate the company's efforts in using packaging that minimizes environmental impact, paired with quick logistics.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Συχνές Ερωτήσεις (FAQ)
Ποια είναι τα βασικά χαρακτηριστικά και οι προδιαγραφές του MOSFET FCH043N60 της onsemi;
Ο FCH043N60 είναι MOSFET N-Channel με βαθμολογία τάσης 600V και συνεχές ρεύμα φόρτισης 75A στους 25°C. Διαθέτει χαμηλό Rds On 43mΩ στα 38A και 10V Vgs, κατάλληλο για εφαρμογές ισχύος υψηλής τάσης. Το εξάρτημα εγκαθίσταται μέσω οπής σε πακέτο TO-247-3 και υποστηρίζει θερμοκρασίες λειτουργίας από -55°C έως 150°C.
Είναι ο MOSFET FCH043N60 της onsemi κατάλληλος για εφαρμογές διακοπής υψηλής τάσης;
Ναι, ο FCH043N60 έχει σχεδιαστεί για διακοπές υψηλής τάσης, με τάση drain-to-source 600V και δυνατότητα αποθήκευσης ισχύος έως 592W στους 25°C, καθιστώντας το ιδανικό για κυκλώματα μετατροπής ισχύος και inverter.
Ο MOSFET FCH043N60 είναι συμβατός με τις τυπικές τάσεις Gate Drive;
Ναι, αυτός ο MOSFET λειτουργεί με μέγιστη τάση gate-to-source ±20V και προτεινόμενη τάση οδήγησης 10V, εξασφαλίζοντας αξιόπιστη απόκριση διακοπής σε διάφορα συστήματα ηλεκτρονικής ισχύος.
Ποια είναι τα πλεονεκτήματα της χρήσης των MOSFETs σειράς SuperFET® II όπως ο FCH043N60;
Οι MOSFETs σειράς SuperFET® II προσφέρουν χαμηλό Rds On, υψηλή αντοχή σε τάση και δυνατότητες υψηλής αποδοτικότητας στη διάχυση ισχύος, βελτιώνοντας την απόδοση και τη θερμική διαχείριση στις εφαρμογές διακοπής ισχύος, μειώνοντας τις απώλειες συστήματος.
Πού μπορώ να βρω υποστήριξη ή να αγοράσω τον MOSFET FCH043N60 και τι πρέπει να γνωρίζω σχετικά με τη διαθεσιμότητά του;
Ο FCH043N60 διατίθεται από το απόθεμα με 1.638 μονάδες και είναι κατάλληλος για διάφορες εφαρμογές που απαιτούν MOSFET υψηλής τάσης. Παρόλο που αναφέρεται ως παρωχημένο, μπορείτε να τον προμηθευτείτε από εξουσιοδοτημένους διανομείς και να διερευνήσετε εναλλακτικές λύσεις όπως οι SIHG64N65E-GE3 ή IXTQ18N60P.
Διασφάλιση Ποιότητας (QC)
Η DiGi εξασφαλίζει την ποιότητα και την αυθεντικότητα κάθε ηλεκτρονικού εξαρτήματος μέσω επαγγελματικών επιθεωρήσεων και δειγματοληψίας παρτίδων, εγγυώμενη αξιόπιστη προέλευση, σταθερή απόδοση και συμμόρφωση με τεχνικές προδιαγραφές, βοηθώντας τους πελάτες να μειώσουν τους κινδύνους στη αλυσίδα εφοδιασμού και να χρησιμοποιούν με αυτοπεποίθηση τα εξαρτήματα στην παραγωγή.
FCH043N60 CAD Models
onsemi FCH043N60 PCB symbols & footprints
productDetail
