SUP40N10-30-E3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (313 Αξιολογήσεις)

SUP40N10-30-E3

Επισκόπηση προϊόντος

12787219

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους

SUP40N10-30-E3-DG

Κατασκευαστής

Vishay Siliconix
SUP40N10-30-E3

Περιγραφή

MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB

Αποθέμα

RFQ Online
N-Channel 100 V 40A (Tc) 3.75W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
SUP40N10-30-E3 Δελτίο Δεδομένων
Ποσότητα
Ελάχιστο 1

Αγορά και Ερώτηση

Αίτηση για Προσφορές

Μπορείτε να υποβάλετε την αίτηση RFQ σας απευθείας στη σελίδα λεπτομερειών προϊόντος ή στη σελίδα RFQ. Η ομάδα πωλήσεών μας θα απαντήσει στην αίτησή σας εντός 24 ωρών.

Μέθοδος πληρωμής

Προσφέρουμε αρκετές βολικές μεθόδους πληρωμής, συμπεριλαμβανομένων των PayPal (συνιστάται για νέους πελάτες), Πιστωτικών Καρτών και Τραπεζικών Μεταφορών (T/T) σε USD, EUR, HKD και άλλες.

ΣΗΜΑΝΤΙΚΗ ΕΝΗΜΕΡΩΣΗ

Αφού στείλετε το RFQ, θα λάβετε ένα email στα εισερχόμενά σας σχετικά με την παραλαβή της αίτησής σας. Αν δεν το λάβετε, ενδέχεται η διεύθυνση email μας να έχει αναγνωριστεί λανθασμένα ως spam. Παρακαλώ ελέγξτε το φάκελο spam σας και προσθέστε τη διεύθυνση email μας [email protected] στη λίστα επιτρεπόμενων για να διασφαλίσετε ότι θα λάβετε την προσφορά μας. Λόγω της δυνατότητας να υπάρξουν διακυμάνσεις στα αποθέματα και τις τιμές, η ομάδα πωλήσεών μας πρέπει να επιβεβαιώσει εκ νέου την αίτησή σας ή την παραγγελία σας και να σας στείλει τυχόν ενημερώσεις μέσω email εγκαίρως. Αν έχετε οποιαδήποτε άλλη ερώτηση ή χρειάζεστε επιπλέον βοήθεια, παρακαλούμε μη διστάσετε να μας ενημερώσετε.

Αίτηση Προσφοράς(Αποστέλλεται αύριο)
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

SUP40N10-30-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής Vishay

Συσκευασία -

Σειρά TrenchFET®

Κατάσταση προϊόντος Obsolete

Τύπος FET N-Channel

Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss) 100 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C 40A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 15A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID 4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs 60 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.) ±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds 2400 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET -

Απαγωγή ισχύος (μέγ.) 3.75W (Ta), 107W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή TO-220AB

Συσκευασία / Θήκη TO-220-3

Βασικός αριθμός προϊόντος SUP40

Φυλλάδιο & Έγγραφα

HTML Δελτίο δεδομένων

SUP40N10-30-E3-DG

Φύλλα δεδομένων

SUP40N10-30

Packaging Information

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
SUP40N1030E3
SUP40N10-30-E3TRINACTIVE
SUP40N10-30-E3CT-DG
SUP40N10-30-E3TR-DG
SUP40N10-30-E3TR
SUP40N10-30-E3CT

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
STP24NF10
STMicroelectronics
720
STP24NF10-DG
0.64
MFR Recommended
IRF540NPBF
Infineon Technologies
148341
IRF540NPBF-DG
0.46
MFR Recommended
PSMN009-100P,127
NXP Semiconductors
291
PSMN009-100P,127-DG
1.44
MFR Recommended
AUIRF540Z
Infineon Technologies
2924
AUIRF540Z-DG
1.03
MFR Recommended
STP60NF10
STMicroelectronics
980
STP60NF10-DG
1.23
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Τα Blogs & Αναρτήσεις