SQ2337ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (134 Αξιολογήσεις)

SQ2337ES-T1_GE3

Επισκόπηση προϊόντος

13008583

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους

SQ2337ES-T1_GE3-DG

Κατασκευαστής

Vishay Siliconix
SQ2337ES-T1_GE3

Περιγραφή

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Αποθέμα

14972 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Ποσότητα
Ελάχιστο 1

Αγορά και Ερώτηση

Αίτηση για Προσφορές

Μπορείτε να υποβάλετε την αίτηση RFQ σας απευθείας στη σελίδα λεπτομερειών προϊόντος ή στη σελίδα RFQ. Η ομάδα πωλήσεών μας θα απαντήσει στην αίτησή σας εντός 24 ωρών.

Μέθοδος πληρωμής

Προσφέρουμε αρκετές βολικές μεθόδους πληρωμής, συμπεριλαμβανομένων των PayPal (συνιστάται για νέους πελάτες), Πιστωτικών Καρτών και Τραπεζικών Μεταφορών (T/T) σε USD, EUR, HKD και άλλες.

ΣΗΜΑΝΤΙΚΗ ΕΝΗΜΕΡΩΣΗ

Αφού στείλετε το RFQ, θα λάβετε ένα email στα εισερχόμενά σας σχετικά με την παραλαβή της αίτησής σας. Αν δεν το λάβετε, ενδέχεται η διεύθυνση email μας να έχει αναγνωριστεί λανθασμένα ως spam. Παρακαλώ ελέγξτε το φάκελο spam σας και προσθέστε τη διεύθυνση email μας [email protected] στη λίστα επιτρεπόμενων για να διασφαλίσετε ότι θα λάβετε την προσφορά μας. Λόγω της δυνατότητας να υπάρξουν διακυμάνσεις στα αποθέματα και τις τιμές, η ομάδα πωλήσεών μας πρέπει να επιβεβαιώσει εκ νέου την αίτησή σας ή την παραγγελία σας και να σας στείλει τυχόν ενημερώσεις μέσω email εγκαίρως. Αν έχετε οποιαδήποτε άλλη ερώτηση ή χρειάζεστε επιπλέον βοήθεια, παρακαλούμε μη διστάσετε να μας ενημερώσετε.

Διαθέσιμο (Όλες οι τιμές είναι σε USD)
  • ΠΟΣ. Τιμή Στόχος Συνολική Τιμή
  • 3000 0.22 673.51
  • 6000 0.21 1252.99
  • 9000 0.20 1802.97
Καλύτερη Τιμή μέσω Online RFQ
Αίτηση Προσφοράς(Αποστέλλεται αύριο)
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

SQ2337ES-T1_GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής Vishay

Συσκευασία Tape & Reel (TR)

Σειρά TrenchFET®

Συσκευασία Tape & Reel (TR)

Κατάσταση εξαρτήματος Last Time Buy

Τύπος FET P-Channel

Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss) 80 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C 2.2A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs 290mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID 2.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs 18 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.) ±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds 620 pF @ 30 V

Δυνατότητα FET -

Απαγωγή ισχύος (μέγ.) 3W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)

Βαθμολογώ Automotive

Προσόν AEC-Q101

Τύπος τοποθέτησης Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή SOT-23-3 (TO-236)

Συσκευασία / Θήκη TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Βασικός αριθμός προϊόντος SQ2337

Φυλλάδιο & Έγγραφα

HTML Δελτίο δεδομένων

SQ2337ES-T1_GE3-DG

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
SQ2337ES-T1_BE3
Vishay Siliconix
284851
SQ2337ES-T1_BE3-DG
0.20
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Τα Blogs & Αναρτήσεις